| 主权项 |
1.一种蚀刻方法,包括: 提供一材料层,该材料层上已形成有一图案化硬罩 幕层; 以该图案化硬罩幕层为罩幕,对该材料层进行一第 一乾式蚀刻制程,所采用的电源模式为一脉冲波模 式,所进行的时间为一第一时间;以及 以该图案化硬罩幕层为罩幕,对该材料层进行一第 二乾式蚀刻制程,所采用的电源模式为一连续周期 波模式,所进行的时间为一第二时间,其中该第一 时间对该第二时间的比値为0.1-2.0。 2.如申请专利范围第1项所述之蚀刻方法,其中该脉 冲波模式的工作周期(Duty Cycle)为1%-99%。 3.如申请专利范围第1项所述之蚀刻方法,其中该脉 冲波模式之脉冲波的频率范围为1Hz-50KHz。 4.如申请专利范围第1项所述之蚀刻方法,其中该材 料层的材料为单晶矽、磊晶矽、多晶矽或非晶矽 。 5.如申请专利范围第1项所述之蚀刻方法,其中该材 料层的材料包括一介电材料。 6.如申请专利范围第5项所述之蚀刻方法,其中该介 电材料包括氧化矽。 7.如申请专利范围第5项所述之蚀刻方法,其中该图 案化硬罩幕层的材料包括氮化矽。 8.一种深沟渠的制造方法,包括: 提供一基底,该基底上已形成有一图案化硬罩幕层 ; 以该图案化硬罩幕层为罩幕,对该基底进行一第一 乾式蚀刻制程,所采用的电源模式为一脉冲波模式 ,所进行的时间为一第一时间;以及 以该图案化硬罩幕层为罩幕,对该基底进行一第二 乾式蚀刻制程,所采用的电源模式为一连续周期波 模式,所进行的时间为一第二时间, 其中该第一时间对该第二时间的比値为0.1-2.0。 9.如申请专利范围第8项所述之深沟渠的制造方法, 其中该脉冲波模式的工作周期(Duty Cycle)为1%-99%。 10.如申请专利范围第8项所述之深沟渠的制造方法 ,其中该脉冲波模式之脉冲波的频率范围为1Hz-50KHz 。 11.如申请专利范围第8项所述之深沟渠的制造方法 ,其中该基底包括矽基底。 12.如申请专利范围第8项所述之深沟渠的制造方法 ,其中该图案化硬罩幕层的材料包括氮化矽。 13.一种蚀刻方法,包括: 提供一材料层,该材料层上已形成有一图案化硬罩 幕层; 以该图案化硬罩幕层为罩幕,对该材料层进行一第 一乾式蚀刻制程,以形成一第一预定结构,其中该 第一乾式蚀刻制程所采用的电源模式为一脉冲波 模式,所进行的时间为一第一时间;以及 以该图案化硬罩幕层为罩幕,对该第一预定结构进 行一第二乾式蚀刻制程,以形成一第二预定结构, 其中该第二乾式蚀刻制程所采用的电源模式为一 连续周期波模式,所进行的时间为一第二时间。 14.如申请专利范围第13项所述之蚀刻方法,其中该 第一时间不同于该第二时间。 15.如申请专利范围第13项所述之蚀刻方法,其中该 第一时间与该第二时间相同。 16.如申请专利范围第13项所述之蚀刻方法,其中该 材料层的材料包括矽。 17.如申请专利范围第13项所述之蚀刻方法,其中该 材料层的材料包括介电材料。 18.如申请专利范围第13项所述之蚀刻方法,其中该 第二预定结构为沟渠、接触孔洞或闸极线开口。 图式简单说明: 图1所绘示为本发明之蚀刻方法的流程图。 图2所绘示为本发明之电源产生器之输出讯号的时 序图。 图3A-图3B所绘示为本发明一实施例之深沟渠的制 造流程剖面图。 |
