蚀刻设备与蚀刻制程

摘要

本发明提出一种蚀刻设备，适于对铜或银进行蚀刻，其包括过氧化氢槽、氢氧化铵槽、水槽、蚀刻槽、配管系统以及温控装置。配管系统将过氧化氢槽、氢氧化铵槽、水槽连通于蚀刻槽。温控装置配置于过氧化氢槽、氢氧化铵槽以及蚀刻槽的周围，使其温度维持在室温以下且摄氏12度以上。本发明亦提出一种蚀刻制程，其步骤包括先提供温度维持在室温以下且摄氏12度以上之温度范围内的过氧化氢以及氢氧化铵。之后将水与过氧化氢以及氢氧化铵混合以形成一蚀刻液，且蚀刻液之温度亦维持在此温度范围内。接着利用此蚀刻液对铜或银进行蚀刻。