半导体装置及其制造方法

摘要

一种MISFET(10)，具备有：p型基板(1)，具有杂质浓度C之通道区域(20)；绝缘膜(11)，形成在通道区域(20)上，并由SiO2构成；绝缘膜(12)，由形成在绝缘膜(11)上之HfSiON构成。假想有另一MISFET具备有：基板，具有杂质浓度C之通道区域，由与基板(1)相同之材质构成；和绝缘膜，只由形成在通道区域上之SiON构成，以使电子于通道区域(20)移动度之最大值，高于电子于通道区域移动度之最大值之方式，设定通道区域(20)之杂质浓度C。利用此种方式可以减低电源电压，可以减少消耗电力。