| 摘要 |
一种具有0.7至2.0微米深沟槽的金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)之加工方法，是先在半导体基底上开沟槽，然后在沟槽内沉积厚绝缘层并使在沟槽底部的绝缘层比沟槽侧壁的绝缘层厚得多。随后侧壁的绝缘层被除掉，继之以生成一合成的双层，形成闸极氧化物。另一种具体方法是在闸极氧化物生长后再沉积绝缘层，再覆盖一个薄氮化物层，此氮化物层用作在除去沟槽侧壁绝缘层和多晶矽化学机械研磨过程中的阻挡层。本发明的这些方案，实现于能消除当在有厚的底部氧化物的0.2微米深的沟槽内生成闸极氧化时出现在沟槽底部角落处的脆弱点。本发明还可以很好地控制沟槽的形状和闸极氧化物厚度的外形轮廓。 |
