发明名称 半导体单晶制造装置
摘要 此半导体单晶制造装置系具有:坩锅;和加热器;和坩锅驱动手段;和腔室,收容前述坩锅及加热器;和氢混合气体供给装置,将含有氢原子之含氢气体及非活性气体所混合而成之氢混合气体,供给至前述腔室内:并且,前述氢混合气体供给装置具备:含氢气体供给机:和非活性气体供给机;和含氢气体流量控制器;和非活性气机流量控制器;和气体混合手段,将含氢气体与非活性气体加以均匀混合而产生氢混合气体。
申请公布号 TW200700594 申请公布日期 2007.01.01
申请号 TW094144547 申请日期 2005.12.15
申请人 上睦可股份有限公司 发明人 杉村涉;宝来正隆;小野敏昭
分类号 C30B29/06(2006.01);C30B15/00(2006.01) 主分类号 C30B29/06(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本