低基部面插排整体生长的碳化矽晶圆

摘要

本发明揭示一种高品质碳化矽单晶圆。该晶圆具有至少约3寸(75 mm)之直径及至少一连续平方寸(6.25 cm2)之表面积，对于一4度离轴晶圆而言，该表面积具有小于约500 cm–2之基部面差排体密度。