| 主权项 |
1.一种制备导光板模仁之方法,其包括如下步骤: 提供一模仁基底; 设计导光图案; 于真空环境中,根据导光图案,产生电子束蚀刻该 模仁基底表面,使得在模仁基底表面形成所需图案 。 2.如申请专利范围第1项所述之制备导光板模仁之 方法,其中模仁基底材料为碳化矽、氮化矽、陶瓷 或玻璃。 3.如申请专利范围第1项所述之制备导光板模仁之 方法,其中真空环境之气体压力小于710-4巴斯卡。 4.如申请专利范围第1项所述之制备导光板模仁之 方法,其中电子束系以ZrO/W为发射源发射。 5.如申请专利范围第1项所述之制备导光板模仁之 方法,其中电子束之加速电压为20KV-50KV。 6.如申请专利范围第5项所述之制备导光板模仁之 方法,其中电子束之最小直径小于100奈米。 7.如申请专利范围第6项所述之制备导光板模仁之 方法,其中电子束之最小直径小于20奈米。 8.如申请专利范围第7项所述之制备导光板模仁之 方法,其中电子束之最小直径小于2奈米。 9.如申请专利范围第5项所述之制备导光板模仁之 方法,其中电子束蚀刻之最小线宽为10奈米。 10.一种制备导光板之方法,其包括如下步骤: 提供一模仁基底,根据设计之导光图案,于真空环 境中产生电子束蚀刻该基底形成具有该导光图案 之模仁; 将导光板材料置于该模仁形成之模腔内,通过成型 方法制备具有该导光图案之导光板; 待导光板成型之后脱模,制得导光板。 11.如申请专利范围第10项所述之制备导光板之方 法,其中该导光板材料为合成树脂。 12.如申请专利范围第10项所述之制备导光板之方 法,其中该导光板图案之精度小于100奈米。 13.如申请专利范围第12项所述之制备导光板之方 法,其中该导光板图案之精度小于20奈米。 14.如申请专利范围第13项所述之制备导光板之方 法,其中该导光板图案之精度小于2奈米。 15.如申请专利范围第10项所述之制备导光板之方 法,其中该成型方法为模压射出成型方法。 图式简单说明: 第一图系本发明制备导光板模仁之流程图。 第二图系本发明之第一实施例制备导光板模仁之 示意图。 第三图系本发明第一实施例制备之导光板模仁之 放大剖面图。 第四图系利用本发明制备之导光板模仁通过模压 成型方法制备导光板之示意图。 第五图系本发明方法制备之导光板放大剖面图。 |
