| 摘要 |
Предлагаемые в качестве изобретения способ очистки теневых масок (варианты) и устройство для его реализации предназначены для использования в области вакуумной очистки теневых масок от наслоений органических и неорганических материалов в производстве OLED (Organic Light Emitting Diode - дисплеев на органических светодиодах) дисплеев, с применением реактивного ионно-лучевого травления загрязненной поверхности. Согласно изобретениям, в способе по первому варианту в вакуумной камере устанавливают охлаждаемый держатель, в котором размещают маску, при этом обрабатываемую поверхность маски, обращенную в сторону эмиссионной поверхности источника ионов, сканируют сфокусированными ленточными пучками ионов. Тангенциальную скорость сканирования выбирают таковой, чтобы доза энергии, получаемая элементом поверхности маски при однократном прохождении пучка ионов по этой поверхности, не превышала количество тепла, соответствующего максимально допустимому перегреву, а в качестве ионобразующего газа используют кислород или его смесь. Согласно второму варианту в способе маску дополнительно прижимают к держателю прижимным механизмом для обеспечения теплового контакта между охлаждаемым держателем и необрабатываемой поверхностью маски. В обоих вариантах кислород смешивают с газами из следующего ряда: Ar, Xe, Kr, Ne, N |
