Oberflächenbehandlungs- und Deckschichtverfahren zur Herstellung einer Kupfergrenzfläche in einem Halbleiterbauteil,申请号DE20001059143-传众专利搜索

发明名称	Oberflächenbehandlungs- und Deckschichtverfahren zur Herstellung einer Kupfergrenzfläche in einem Halbleiterbauteil
摘要
申请公布号	DE10059143(B4)	申请公布日期	2006.12.28
申请号	DE20001059143	申请日期	2000.11.29
申请人	ADVANCED MICRO DEVICES INC.	发明人	RUELKE, HARTMUT;HOHAGE, JOERG;VAN NGO, MINH
分类号	H01L21/768;H01L21/02;H01L21/306;H01L21/318;H01L21/321;H01L21/3213;H01L21/44;H01L21/469;H01L21/4763;H01L23/532	主分类号	H01L21/768
代理机构		代理人
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