Entfernen von dünnen strukturierten Polymerschichten durch atmosphärisches Plasma

摘要

Die Erfindung stellt Verfahren zum Ausbilden einer Struktur in einer auf einem Substrat aufgebrachten Resistschicht durch ein Imprint-Lithographieverfahren zur Verfügung, wobei die nach dem Stempeln und Aushärten der Resistschicht in den Tälern der Struktur verbleibende Restschicht durch die Einwirkung von Plasma bei Atmosphärendruck entfernt wird.