发明名称 Verfahren zum Testen eines Wafers, insbesondere Hall-Magnetfeld-Sensors und Wafer bzw. Hallsensor
摘要 Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Testen eines Wafers, bei dem in dem Wafer (W) ein Stromfluss erzeugt und ein resultierender physikalischer Parameter gemesser wird. Vorteilhaft wird das Verfahren dadurch, dass als der physikalische Parameter ein elektrischer Widerstand (R) gemessen wird. Vorteilhaft sind entsprechend eine Anordnung auf einem Wafer bzw. ein Hall-Magnetfeld-Sensor, welche das Messen eines solchen Widerstands ermöglichen. Vorteilhaft ist auch eine Überprüfung des weiteren Signalpfades durch Erzeugung eines Signals, wie es auch von einem Magnetfeld erzeugt werden würde.
申请公布号 DE102005028461(A1) 申请公布日期 2006.12.28
申请号 DE200510028461 申请日期 2005.06.17
申请人 MICRONAS GMBH 发明人 BIDENBACH, REINER;SCHUBERT, JENS;KREDLER, STEFAN;JANKE, RALF
分类号 H01L21/66;G01R31/26;H01L43/06;H01L43/12 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人
主权项
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