| 发明名称 |
Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur mit einem teilweise gefüllten Graben |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE10242629(B4) |
申请公布日期 |
2006.12.28 |
| 申请号 |
DE20021042629 |
申请日期 |
2002.09.13 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
RUDOLPH, MATTHIAS;HAENSEL, JANA |
| 分类号 |
H01L21/3065;H01L21/321;H01L21/3213;H01L21/762 |
主分类号 |
H01L21/3065 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
