发明名称 Photodiode mit integrierter Halbleiterschaltung und Verfahren zur Herstellung
摘要 Es wird vorgeschlagen, eine Halbleiterschaltung in einem Halbleiterkörper herzustellen und mit einem weiteren Substrat, in dem in einem Schichtaufbau eine Diode erzeugt ist durch ein Waferbond-Verfahren zu verbinden. Mittels Durchkontaktierungen durch den Halbleiterkörper wird die Halbleiterschaltung mit den Anschlüssen der Diode verbunden.
申请公布号 DE102005026242(A1) 申请公布日期 2006.12.28
申请号 DE20051026242 申请日期 2005.06.07
申请人 AUSTRIAMICROSYSTEMS AG 发明人 MEINHARDT, GERALD;SCHRANK, FRANZ;VESCOLI, VERENA
分类号 H01L27/14;H01L27/06;H01L27/12 主分类号 H01L27/14
代理机构 代理人
主权项
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