| 摘要 |
Ein Halbleiterspeicherbauelement (100) umfasst Speicherbauelementkontaktanschlüsse (101), mit denen das Halbleiterspeicherbauelement extern mit einer Leiterplatte verbindbar ist. Bei einer Doppel- oder Vierfachstapelkonfiguration umfasst das Halbleiterspeicherbauelement einen ersten Baustein (110), der über einen zweiten Baustein (120) in einer Stapelanordnung angeordnet ist. Der erste und zweite Baustein sind bevorzugt als FBGA-Bausteine ausgebildet, wobei jeder von ihnen Bausteinkontaktanschlüsse (111, 121) umfasst. Die Bausteinkontaktanschlüsse (111, 121) des ersten und zweiten Bausteins (110, 120) sind über erste und zweite flexible Leiterbahnstrukturen (130, 140) mit den Speicherbauelementkontaktanschlüssen (101) verbunden. Durch eine derartige symmetrische Bausteinkonfiguration werden Signale mit einer verbesserten Signalintegrität über einen Bus (400) auf der Leiterplatte zwischen dem Halbleiterspeicherbauelement (100) und einem Steuerchip (200) übertragen, wenn die Frequenz des Busses oder die Last des Halbleiterspeicherbauelements erhöht ist. |
