Photodiode mit verringertem Dunkelstrom und Verfahren zur Herstellung

摘要

Es wird eine Photodiode vorgeschlagen, bei der ein pn-Übergang zwischen dem in der Oberfläche eines kristallinen Halbleitersubstrats ausgebildeten Dotierungsgebiet (DG) und einer darüber abgeschiedenen Halbleiterschicht (HS) ausgebildet ist. Im Randbereich des dotierten Gebietes ist eine Zusatzdotierung (GD) vorgesehen, mit der der pn-Übergang tiefer in das Substrat (SU) hinein verlegt ist. Mit der so erreichten größeren Entfernung des pn-Übergangs von Störstellen an Phasengrenzen wird der Dunkelstrom innerhalb der Photodiode reduziert.