| 发明名称 | 等离子体处理方法以及设备 | ||
| 摘要 | 一种等离子体处理方法，在干法净化处理后不立即进行另外的干燥处理的情况下可以抑制无沉积处理的蚀刻率的下降。该方法包括在同一处理室内进行的第一和第二等离子体处理步骤和通过在第一和第二等离子体处理步骤之间使用伪基片而对处理室的内部进行干法净化的步骤。在第一等离子体处理过程中沉积物基本上聚集在处理室内，在第二等离子体处理过程中基本上没有沉积物聚集在处理室内。干法净化步骤的进行是通过给处理室内供应一种用于去除在第一等离子体处理过程中在处理室内产生的沉积物的沉积物去除气体，和一种能够蚀刻伪基片的伪基片蚀刻气体。 | ||
| 申请公布号 | CN1292454C | 申请公布日期 | 2006.12.27 |
| 申请号 | CN200310124887.7 | 申请日期 | 2003.11.20 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 崎间弘美 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/302(2006.01);H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种等离子体处理方法，具有在同一处理室内执行的第一和第二等离子体处理步骤，其中在所述第一等离子体处理步骤中沉积物基本上堆积在所述处理室内，在所述第二等离子体处理步骤中在所述处理室内基本上没有堆积沉积物，其特征在于，该方法包括以下步骤：在所述第一和所述第二等离子体处理步骤之间通过使用伪基片干法净化所述处理室的内部，其中，通过给所述处理室内提供用于去除在所述第一等离子体处理步骤中在所述处理室内产生的所述沉积物的沉积物去除气体，以及提供能够蚀刻所述伪基片的伪基片蚀刻气体而执行所述干法净化步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||