| 发明名称 | 半导体器件用电容器、其制造方法及采用它的电子器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件用电容器、其制造方法及采用它的电子器件。该电容器包括上部电极和下部电极，每个电极由铂族金属形成；设置在上部电极和下部电极之间的薄介电层；以及设置在下部电极和薄介电层之间的缓冲层，该缓冲层包括第3、4或13族的金属氧化物。 | ||
| 申请公布号 | CN1292479C | 申请公布日期 | 2006.12.27 |
| 申请号 | CN02147162.2 | 申请日期 | 2002.10.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李正贤;闵约塞;曹永真 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01G4/33(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 肖鹂;陈小雯 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件用电容器，该电容器包括：上部电极和下部电极，每个电极由铂族金属形成；设置在上部电极和下部电极之间的薄介电层；以及缓冲层，其通过原子层沉积工艺利用缓冲层前体形成，且设置在下部电极和薄介电层之间，该缓冲层包括第4、5或13族的金属氧化物。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||