| 发明名称 | 磁控溅射法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜 | ||
| 摘要 | 一种磁控溅射法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜，其特征是选取β-BBO陶瓷靶材或β-BBO单晶靶材，采用磁控溅射方法在α-BBO单晶衬底上形成一层β-BBO/α-BBO复合单晶薄膜。本发明方法克服了在先技术生长体单晶加工困难的问题，极大的节省了材料。本发明适宜批量生产，能够满足激光技术迅猛发展的市场需求，具有良好的经济效益。 | ||
| 申请公布号 | CN1292103C | 申请公布日期 | 2006.12.27 |
| 申请号 | CN200410067895.7 | 申请日期 | 2004.11.05 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 周国清;刘军芳;徐军;何晓明;夏长泰 |
| 分类号 | C30B23/00(2006.01);C30B29/22(2006.01);C30B25/06(2006.01) | 主分类号 | C30B23/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1.一种低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法，其特征是选取β-BBO陶瓷靶材或β-BBO单晶靶材，采用磁控溅射方法在α-BBO单晶衬底上形成一层β-BBO/α-BBO复合单晶薄膜。 | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||