发明名称 栅控薄膜场发射显示器件
摘要 栅控薄膜场发射显示器件,属于真空电子发射型平板显示技术领域。本发明的特征是阴极基板上含有与列电极平行设置的地电极;所述的场发射阴极采用三极型结构的栅控薄膜场发射阴极,该薄膜场发射阴极由分别连接到行电极的栅极、连接到列电极的漏极和连接到地电极的源极、源极和漏极之间的电子传导发射层以及栅极所在平面与源极、漏极和电子传导发射层所在平面之间的绝缘层;所述源极与地电极连接,所述的栅极与行电极连接,漏极与列电极连接。本发明成功地解决了普通表面传导发射显示器件中行电流过大的问题,而且不需要激活时间;器件结构和制备工艺简单,无需特殊处理,直接施加驱动电压就能产生电子发射,大大节省了工艺处理时间,适合大规模生产。
申请公布号 CN1885482A 申请公布日期 2006.12.27
申请号 CN200610089620.2 申请日期 2006.07.07
申请人 清华大学 发明人 李德杰
分类号 H01J31/12(2006.01);H01J29/02(2006.01);H01J29/04(2006.01);H01J1/304(2006.01);H01J1/46(2006.01) 主分类号 H01J31/12(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种栅控薄膜场发射显示器件,含有阴极基板、阳极基板、封接结构(16)和支撑结构(17),所述的阴极基板包括阴极基板玻璃(30)、设置在阴极基板玻璃上的行电极(31)、列电极(32)、电极与电极之间交叉点上的介质隔离层(39)以及行、列电极之间的场发射阴极;所述的阳极基板包括阳极基板玻璃(10)、设置在阳极基板玻璃上的红绿蓝三基色荧光粉(11、12、13)、黑底(14)和铝膜阳极(15),其特征在于:所述的阴极基板上还包括与列电极(32)平行设置的地电极(33);所述的场发射阴极采用三极型结构的栅控薄膜场发射阴极,该栅控薄膜场发射阴极设置在行电极与列电极、地电极之间,包括源极(34),漏极(35),栅极(36),源极和漏极之间的电子传导发射层(37)以及栅极所在平面与源极、漏极和电子传导发射层所在平面之间的绝缘层(38);所述的源极与地电极连接,所述的栅极与行电极连接,所述的漏极与列电极连接。
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