形成接触窗开口的蚀刻方法

摘要

一种形成接触窗开口的蚀刻方法。提供具有至少例如栅极结构的一元件的基底，基底上依序形成有一金属硅化物层、一保护层、一间介电层、一掩模层与一图案化的光致抗蚀剂层。蚀刻形成接触窗开口的过程中，因金属硅化物层被保护层所覆盖且光致抗蚀剂去除步骤于移除部份保护层前进行，金属硅化物层不会损伤或劣化；且所采用的光致抗蚀剂去除步骤可有效率地移除光致抗蚀剂而较无光致抗蚀剂残留的问题。

主权项

1、一种形成接触窗开口的蚀刻方法，包括下列步骤：提供一基底，该基底具有一栅极结构，其中该栅极结构上覆盖有一金属硅化物层，且该金属硅化物层上方还覆盖有一保护层；于该基底之上形成一间介电层；于该间介电层上形成一掩模层；于该掩模层之上形成一图案化的光致抗蚀剂层；进行一第一蚀刻步骤以移除未被该图案化的光致抗蚀剂层所覆盖的该间介电层与该掩模层，直到露出该保护层；进行一光致抗蚀剂去除步骤以移除该图案化的光致抗蚀剂层；以及进行一第二蚀刻步骤移除暴露出的该保护层，以形成接触窗开口，其中该第二蚀刻步骤选择性地移除该保护层而露出其下的该金属硅化物层，却不伤害间介电层或掩模层。