| 发明名称 | 经表面粗化的高效氮化镓基发光二极管 | ||
| 摘要 | 一种氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)，其中光通过所述LED的氮面(N面)(42)被提取并且所述N面(42)的表面被粗化形成一个或多个六角形锥面。所述粗化表面减少了在所述LED内部的光反射的重复发生，并因此在所述LED外部提取到更多的光。所述N面(42)的所述表面通过各向异性蚀刻进行粗化，所述蚀刻包括干式蚀刻或者光致化学(PEC)蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | CN1886827A | 申请公布日期 | 2006.12.27 |
| 申请号 | CN200380110945.9 | 申请日期 | 2003.12.09 |
| 申请人 | 加利福尼亚大学董事会 | 发明人 | T·藤井;Y·高;E·L·胡;S·中村 |
| 分类号 | H01L21/465(2006.01);H01L29/06(2006.01);H01L29/20(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/465(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 1.一种氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)，其中光是通过所述LED的氮面(N面)提取的，且所述N面的表面被粗化成一个或多个锥面。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||