| 发明名称 | 半导体激光器装置 | ||
| 摘要 | 半导体激光器装置，在至少一个激光器芯片的光出射面上，形成了反射率大于等于83％的电介质多层膜，电介质多层膜包含由氧化钽(Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>)构成的电介质薄膜、以及由氧化铝(Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>)、氧化硅(Si)等电介质氧化物构成的其它电介质薄膜。氧化钽的光吸收系数小于硅(Si)膜，由于伴随着发光的热稳定性比氧化钛(TiO<SUB>2</SUB>)膜优秀，因此能够大幅改善COD恶化。 | ||
| 申请公布号 | CN1292522C | 申请公布日期 | 2006.12.27 |
| 申请号 | CN200410034700.9 | 申请日期 | 2004.04.23 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 国次恭宏;松岡裕益;中川康幸;西口晴美 |
| 分类号 | H01S5/028(2006.01) | 主分类号 | H01S5/028(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光器装置，在激光器芯片的至少一个光出射面上形成有反射率大于等于83％的电介质多层膜，其特征在于：设激光器芯片的振荡波长为λ，电介质多层膜包含多层交替设置的由氧化钽构成的电介质薄膜，其中，多层由氧化钽构成的电介质薄膜层以光学长度换算的总厚度为3λ/4以上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||