| 发明名称 | 单片电路中电感和通道的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种在包括衬底的单片电路中制作电感和穿透通道的方法，包括按要形成的电感形状从衬底的第一表面形成至少一个沟槽的步骤；在衬底中由激光在通道所需位置处形成穿透孔；同时绝缘沟槽和孔的表面；并且在沟槽中以及至少在孔壁上沉积导电材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1292628C | 申请公布日期 | 2006.12.27 |
| 申请号 | CN02144318.1 | 申请日期 | 2002.10.09 |
| 申请人 | ST微电子公司 | 发明人 | 帕斯卡尔·加蒂斯 |
| 分类号 | H05K3/30(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H05K3/30(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种在包括衬底(11)的单片电路中制作电感(40)和穿透通道(30，31)的方法，其中按要形成的电感形状从衬底第一表面形成至少一个沟槽(21)；包括以下连续步骤：在衬底中由激光在通道所需位置处形成穿透孔(23)；同时绝缘(24)沟槽和孔的表面；并且在沟槽中以及至少在孔壁上沉积导电材料(25)。 | ||
| 地址 | 法国蒙鲁日 | ||