| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种可以在衬垫的下方设置半导体元件的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：半导体层(10)；晶体管(100)、(120)，其设置于半导体层(10)上，并具有栅极绝缘层(104)、(124)以及栅电极(106)、(126)；层间绝缘层(40)，其设置于晶体管(100)、(120)的上方；以及，电极垫(42)，其设置于层间绝缘层(40)的上方，俯视观察时，与栅电极(106)、(126)的至少一部分相重叠，其中，晶体管(100)、(120)为在栅电极(106)、(126)端部的下方设置有比栅极绝缘层(104)、(124)的膜厚更厚的绝缘层(102)、(122)的高耐压晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN1885558A | 申请公布日期 | 2006.12.27 |
| 申请号 | CN200610087107.X | 申请日期 | 2006.06.09 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 进藤昭则;田垣昌利;栗田秀昭 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其包括：半导体层；晶体管，其设置于所述半导体层上，并具有栅极绝缘层以及栅电极；层间绝缘层，其设置于所述晶体管的上方；以及，电极垫，其设置于所述层间绝缘层的上方，俯视观察时与所述栅电极的至少一部分相重叠，其中，所述晶体管为高耐压晶体管，所述高耐压晶体管在所述栅电极端部的下方设置有比所述栅极绝缘层的膜厚更厚的绝缘层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||