半导体装置及其制造方法

摘要

一种齐纳二极管结构，包括：用于生成pn结而形成的n型半导体层(2)及p型半导体层(3、4)、覆盖pn结部分的绝缘膜(5)、与n型半导体层(2)电连接的阴极电极布线(6a)、和与p型半导体层(4)电连接的阳极电极布线(6b)。由p型半导体层(3、4)构成的p型半导体区域具有使持有第1扩散深度和第1峰值浓度的第一p型杂质浓度分布和持有比第1扩散深度浅的第2扩散深度和比第1峰值浓度高的第2峰值浓度的第二p型杂质浓度分布重合的杂质浓度分布。第一p型杂质浓度分布的pn结部分中的浓度比第二p型杂质浓度分布的pn结部分中的浓度高。这样，即便微细化也能防止漏电流增大和杂质区域的电阻上升。

主权项

1、一种半导体装置，具有在半导体基片上形成的齐纳二极管，所述齐纳二极管包括：第1导电型半导体区域和第2导电型半导体区域，以在所述半导体基片中生成pn结的方式形成；绝缘膜，覆盖所述第1导电型半导体区域和所述第2导电型半导体区域的接合部分；第1电极，在所述第1导电型半导体区域上以与该第1导电型半导体区域电连接的方式形成；和第2电极，在所述第2导电型半导体区域上以与该第2导电型半导体区域电连接的方式形成；所述第2导电型半导体区域具有第1杂质浓度分布和第2杂质浓度分布重叠的杂质浓度分布，所述第1杂质浓度分布具有第1扩散深度和第1峰值浓度，所述第2杂质浓度分布具有比所述第1扩散深度浅的第2扩散深度和比所述第1峰值浓度高的第2峰值浓度；所述第1杂质浓度分布中在所述接合部分的浓度比所述第2杂质浓度分布中在所述接合部分的浓度高。