| 发明名称 | 一种钴硅化物的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种钴硅化物的形成方法，包括以下步骤：首先，进行Si注入，使单晶硅和多晶硅的表面形成一层无定型硅；其次，通过HF刻蚀，去除单晶硅和多晶硅上的氧化硅；然后，溅射Co或Co/TiN等金属；接着，进行第一次灯退火处理完成第一次晶型转变；之后，再通过选择性刻蚀，将表面的氮化钛和未反应掉的Co去除；最后，通过第二次灯退火处理完成第二次晶型转变。本发明可以减小对硅村底的硅的损耗，降低结漏电，减小村底表面缺陷对钴硅化物造成的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN1885505A | 申请公布日期 | 2006.12.27 |
| 申请号 | CN200510026915.0 | 申请日期 | 2005.06.20 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 周贯宇 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01);H01L21/265(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种钴硅化物的形成方法，包括以下步骤：通过HF刻蚀，去除单晶硅和多晶硅上的氧化硅；然后，溅射Co或Co/TiN等金属；接着，进行第一次灯退火处理完成第一次晶型转变；之后，再通过选择性刻蚀，将表面的氮化钛和未反应掉的Co去除；最后，通过第二次灯退火处理完成第二次晶型转变；其特征在于，在进行HF刻蚀之前先做一次Si注入。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||