| 发明名称 | 半导体集成电路装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体集成电路装置，具备：与第1布线(11)及第2布线(12)配置在同一层上且配置在与第1布线(11)及第2布线(12)交叉的方向的第3布线(14)；配置在第1布线(11)和第3布线(14)的布线方向交叉的部分近旁的第1布线(11)和第1阱(5)之间且与第3布线(14)通过通路电连接的第1栅极材料布线(18)；以及配置在第2布线(12)和第3布线(14)的布线方向交叉的部分近旁的第2阱(4)内且与第3布线(14)布线通过通路电连接，且杂质浓度比第2阱(4)高的第1扩散层(6)，把第1栅极材料布线(18)及第1扩散层(6)作为第3布线(14)所涉及的基板反馈偏置控制用的布线路径来使用。 | ||
| 申请公布号 | CN1885539A | 申请公布日期 | 2006.12.27 |
| 申请号 | CN200610094089.8 | 申请日期 | 2006.06.22 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 中本德仁 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路装置，其特征在于，具备：沿着基板内的第1阱配置的第1布线；沿着基板内的第2阱配置的第2布线；与所述第1布线及所述第2布线配置在同一层上，并且配置在与所述第1布线及所述第2布线交叉的方向，且与所述第1布线及所述第2布线电绝缘的第3布线；配置在所述第1布线和所述第3布线的布线方向交叉的部分的近旁的所述第1布线和所述第1阱之间，并且与所述第3布线通过通路而电连接，且由与栅极材料相同的材料组成的第1栅极材料布线；以及配置在所述第2布线和所述第3布线的布线方向交叉的部分的近旁的所述第2阱内，并且与所述第3布线通过通路而电连接，且含有比所述第2阱中的杂质浓度高的浓度的杂质的第1扩散层，把所述第1栅极材料布线及所述第1扩散层作为所述第3布线所涉及的布线路径来使用。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||