主权项 |
1.硅集成电路衬底多频率点下综合耦合参数的快速提取方法,依次有以下步骤:步骤1:向计算机输入几何信息,包括a)衬底各介质M<sub>i</sub>的长、宽、高;b)衬底各介质M<sub>i</sub>的电导率σ、介电常数ε;c)端口区的位置、大小;d)工作频率;步骤2:计算机按以下步骤计算衬底主端口m和端口k间耦合电容C<sub>mk</sub>:步骤2.1.在主端口m上设1V电压,其余端口(包括k)设为0V;步骤2.2.把介质M<sub>i</sub>的边界划分为N<sub>i</sub>边界元Γ<sub>ij</sub>,j=1,2,...,N<sub>i</sub>;步骤2.3.分别以每个边界元中心点为配置点即采样点s,列出方程组A<sub>cap</sub> X<sub>cap</sub>=B;其中,若设变量在边界元Γ<sub>ij</sub>上,矩阵A<sub>cap</sub>的元素值为:∫<sub>Γij</sub>q<sup>*</sup>dΓ,电压u型变量的系数;或∫<sub>Γij</sub>u<sup>*</sup>dΓ,非交界面电场q型变量的系数;或∫<sub>Γij</sub>u<sup>*</sup>dΓ,交界面Γ<sub>ab</sub>上q型变量,且配置点s在M<sub>b</sub>上;或c<sub>12</sub>∫<sub>Γij</sub>u<sup>*</sup>dΓ,交界面Γ<sub>ab</sub>上q型变量,且配置点s在M<sub>a</sub>上;其中,交界面Γ<sub>ab</sub>位于介质M<sub>a</sub>和M<sub>b</sub>之间,a<b;<maths num="001"><![CDATA[ <math><mrow><msup><mi>u</mi><mo>*</mo></msup><mo>=</mo><mfrac><mn>1</mn><mrow><mn>4</mn><mi>πr</mi><mrow><mo>(</mo><mi>s</mi><mo>,</mo><mi>v</mi><mo>)</mo></mrow></mrow></mfrac><mo>,</mo></mrow></math>]]></maths>r(s,v)为配置点s和变量点v间距离的大小,q<sup>*</sup>为u<sup>*</sup>在Γ<sub>ij</sub>法向上<img file="A2006100121400002C2.GIF" wi="24" he="50" />的导数,表达式为<maths num="002"><![CDATA[ <math><mrow><mo>-</mo><mfrac><mn>1</mn><mrow><mn>4</mn><msup><mi>πr</mi><mn>2</mn></msup><mrow><mo>(</mo><mi>s</mi><mo>,</mo><mi>v</mi><mo>)</mo></mrow></mrow></mfrac><mfrac><mrow><mo>∂</mo><mover><mrow><mi>r</mi><mrow><mo>(</mo><mi>s</mi><mo>,</mo><mi>v</mi><mo>)</mo></mrow></mrow><mo>→</mo></mover></mrow><mrow><mo>∂</mo><mover><mi>n</mi><mo>→</mo></mover></mrow></mfrac><mo>,</mo></mrow></math>]]></maths>其中<img file="A2006100121400002C4.GIF" wi="119" he="59" />表示距离矢量;步骤2.4.矩阵B的每一列对应着一个主端口m的设定;对某配置点s,B某列的某元素值为∫Γ<sub>m</sub>1·q<sup>*</sup>dΓ,其中Γ<sub>m</sub>是主端口m的表面,q<sup>*</sup>定义同上;步骤2.5.求解方程组A<sub>cap</sub> X<sub>cap</sub>=B,得到<maths num="003"><![CDATA[ <math><mrow><msub><mi>X</mi><mi>cap</mi></msub><mo>=</mo><msubsup><mi>A</mi><mi>cap</mi><mrow><mo>-</mo><mn>1</mn></mrow></msubsup><mi>B</mi><mo>;</mo></mrow></math>]]></maths>X<sub>cap</sub>包含电场q型变量的值;步骤2.6.可由X<sub>cap</sub>值计算耦合电容:<maths num="004"><![CDATA[ <math><mrow><msub><mi>C</mi><mi>mk</mi></msub><mo>=</mo><msub><mo>∫</mo><msub><mi>Γ</mi><mi>k</mi></msub></msub><msub><mi>ϵ</mi><mrow><mo>(</mo><mi>k</mi><mo>)</mo></mrow></msub><msub><mi>q</mi><mrow><mo>(</mo><mi>k</mi><mo>)</mo></mrow></msub><mi>dΓ</mi></mrow></math>]]></maths>其中Γ<sub>k</sub>是端口k的表面,q<sub>(k)</sub>是Γ<sub>k</sub>上的电场,ε<sub>(k)</sub>是紧贴着端口k的介质的介电常数;步骤2.7.生成矩阵U:从A<sub>cap</sub>中复制形式为c<sub>12</sub>∫<sub>Γij</sub>u<sup>*</sup>dΓ的元素,其余元素设为0;步骤2.8.和步骤2.4类似地求得A<sub>cap</sub><sup>-1</sup>U;步骤3对每个频率点,执行以下修正操作:步骤3.1.计算该频率点下的V矩阵:对那些对应于介质M<sub>a</sub>和M<sub>b</sub>之间交界面上的电场型变量的主对角元,设定它们的数值为(f<sub>ab</sub>-c<sub>ab</sub>)/c<sub>ab</sub>,其中a<b,<maths num="005"><![CDATA[ <math><mrow><msub><mi>f</mi><mi>ab</mi></msub><mo>=</mo><mfrac><mrow><msub><mi>σ</mi><mi>b</mi></msub><mo>+</mo><mi>jω</mi><msub><mi>ϵ</mi><mi>b</mi></msub></mrow><mrow><msub><mi>σ</mi><mi>a</mi></msub><mo>+</mo><mi>jω</mi><msub><mi>ϵ</mi><mi>a</mi></msub></mrow></mfrac><mo>,</mo></mrow></math>]]></maths><maths num="006"><![CDATA[ <math><mrow><msub><mi>c</mi><mi>ab</mi></msub><mo>=</mo><mfrac><msub><mi>ϵ</mi><mi>b</mi></msub><msub><mi>ϵ</mi><mi>a</mi></msub></mfrac><mo>,</mo></mrow></math>]]></maths>σ<sub>a</sub>、σ<sub>b</sub>和ε<sub>a</sub>、ε<sub>b</sub>分别是介质a和b的电导率和介电常数;其余元素设为0;步骤3.2.生成矩阵I+V<sup>T</sup>A<sub>cap</sub><sup>-1</sup>U,其中I为和A<sub>cap</sub>等大小的单位阵;提取该矩阵非对角线上的非零块组成矩阵M;步骤3.3.对M的逆矩阵W,并将其反填到单位阵,得(I+V<sup>T</sup>A<sub>cap</sub><sup>-1</sup>U)<sup>-1</sup>;步骤3.4.实施矩阵乘,得[A<sub>cap</sub><sup>-1</sup>U][(I+V<sup>T</sup>A<sub>cap</sub><sup>-1</sup>U)<sup>-1</sup>][V<sup>T</sup>X<sub>cap</sub>];步骤3.5.矩阵相减,得<maths num="007"><![CDATA[ <math><mrow><mi>X</mi><mo>=</mo><msub><mi>X</mi><mi>cap</mi></msub><mo>-</mo><mo>{</mo><mo>[</mo><msubsup><mi>A</mi><mi>cap</mi><mrow><mo>-</mo><mn>1</mn></mrow></msubsup><mi>U</mi><mo>]</mo><mo>[</mo><msup><mrow><mo>(</mo><mi>I</mi><mo>+</mo><msup><mi>V</mi><mi>T</mi></msup><msubsup><mi>A</mi><mi>cap</mi><mrow><mo>-</mo><mn>1</mn></mrow></msubsup><mi>U</mi><mo>)</mo></mrow><mrow><mo>-</mo><mn>1</mn></mrow></msup><mo>]</mo><mo>[</mo><msup><mi>V</mi><mi>T</mi></msup><msub><mi>X</mi><mi>cap</mi></msub><mo>]</mo><mo>}</mo><mo>;</mo></mrow></math>]]></maths>步骤3.6.由X所含电场q变量的值,计算该频率下的综合耦合参数<maths num="008"><![CDATA[ <math><mrow><msub><mi>Z</mi><mi>mk</mi></msub><mo>=</mo><mfrac><mn>1</mn><mrow><msub><mo>∫</mo><msub><mi>Γ</mi><mi>k</mi></msub></msub><mrow><mo>(</mo><msub><mi>σ</mi><mrow><mo>(</mo><mi>k</mi><mo>)</mo></mrow></msub><mo>+</mo><mi>jω</mi><msub><mi>ϵ</mi><mrow><mo>(</mo><mi>k</mi><mo>)</mo></mrow></msub><mo>)</mo></mrow><msub><mi>q</mi><mrow><mo>(</mo><mi>k</mi><mo>)</mo></mrow></msub><mi>dΓ</mi></mrow></mfrac><mo>,</mo></mrow></math>]]></maths>其中Γ<sub>k</sub>是端口k的表面,q<sub>(k)</sub>是Γ<sub>k</sub>上的电场值,σ<sub>(k)</sub>和ε<sub>(k)</sub>分别是紧贴着端口k的介质的电导率和介电常数;步骤3.7.所有频率点下耦合参数都已计算完毕若否,则转向步骤3.1;否则,转向步骤4;步骤4结束。 |