| 发明名称 | 具有修正的蚀刻 | ||
| 摘要 | 一种经由衬底上的掩模蚀刻蚀刻层中的特征的方法。将衬底放置在工艺腔室中。将蚀刻等离子体提供给该工艺腔室，在此该蚀刻等离子体开始蚀刻。用该蚀刻等离子体蚀刻该蚀刻层中的特征。在该特征的蚀刻期间修正至少一个蚀刻等离子体参数，以随着蚀刻深度的改变来优化等离子体参数，并且用该修正的等离子体来蚀刻该特征直至将该特征蚀刻到一特征深度为止。 | ||
| 申请公布号 | CN1886823A | 申请公布日期 | 2006.12.27 |
| 申请号 | CN200480035066.9 | 申请日期 | 2004.09.15 |
| 申请人 | 兰姆研究有限公司 | 发明人 | K·卡纳里克;A·埃普勒 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01) | 主分类号 | H01L21/302(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 李静岚;王勇 |
| 主权项 | 1.一种经由衬底上的掩模蚀刻蚀刻层中的特征的方法，包括：将衬底放置在工艺腔室中；将蚀刻等离于体提供给该工艺腔室，在此该蚀刻等离子体开始蚀刻；用该蚀刻等离子体蚀刻该蚀刻层中的特征；在该特征的蚀刻期间修正至少一个蚀刻等离子体参数，以优化等离子体参数至改变的蚀刻深度，并用该修正的等离子体蚀刻直至将该特征蚀刻到一特征深度为止。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||