| 发明名称 | 扩张照射面积的发光二极体 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种扩张照射面积的发光二极体，其是揭露一发光二极体晶片以及一遮蔽层，其中，该遮蔽层设于该发光二极体晶片的一出射面上方，且该遮蔽层的长度是大于、等于或小于该发光二极体晶片的该出射面的长度，藉此，经由该遮蔽层使该发光二极体晶片射出的光线产生绕射，以扩张发光二极体的照射面积。 | ||
| 申请公布号 | CN1885574A | 申请公布日期 | 2006.12.27 |
| 申请号 | CN200510077403.7 | 申请日期 | 2005.06.23 |
| 申请人 | 黄福国 | 发明人 | 黄福国 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京恒信悦达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐雪琦 |
| 主权项 | 1、一种扩张照射面积的发光二极体，该结构包含：一发光二极体晶片；一遮蔽层，其设于该发光二极体晶片的一出射面上方；其中，该遮蔽层的长度大于该发光二极体晶片的该出射面的长度。 | ||
| 地址 | 台湾省台北县 | ||