| 发明名称 | GaN基LED外延片及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体光电子器件领域，特别是GaN基LED外延片及其制备方法。该GaN基LED外延片的结构从下至上依次为衬底、n型层、量子阱、低温缓冲层及p型层，其特点是p型层为空穴浓度为2×10<SUP>18</SUP>～6×10<SUP>18</SUP>cm<SUP>－3</SUP>的掺受主的GaP层。p型层空穴浓度增大，可降低p型层电阻，外加电压下能增加空穴的注入，并使电流扩整更均匀，大大提高LED性能，提高照明效率。 | ||
| 申请公布号 | CN1885573A | 申请公布日期 | 2006.12.27 |
| 申请号 | CN200510035445.4 | 申请日期 | 2005.06.23 |
| 申请人 | 华南师范大学 | 发明人 | 李述体;范广涵 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人 | 禹小明 |
| 主权项 | 1、一种GaN基LED外延片，其结构从下至上依次为衬底、n型层、量子阱、缓冲层及p型层，其特征在于所述p型层为空穴浓度为2×1018～6×1018cm-3 的掺受主的GaP层。 | ||
| 地址 | 510070广东省广州市天河区石牌街华南师范大学科研处 | ||