半导体存储器的数据存取方法以及半导体存储器

摘要

在进行独立于外部存取操作的刷新操作的情形中，给出了半导体存储器的数据存取方法和半导体存储器，其中设置了适合于外部存取操作和刷新操作中每一个的时间。当时间测定启动信号“SIN”进入路径开关装置时，该路径开关装置与受外部存取操作启动信号REQ(O)和内部存取操作启动请求信号REQ(I)控制的第一定时电路或第二定时电路连通。第一和第二定时部分都测定时间“τO”和时间“τI”以输出时间测定终止信号“SOUT”。测量时间“τO”相当于执行外部存取操作时位线对的差分放大时间，而测量时间“τI”相当于执行刷新操作时的差分放大时间。作为选择，测量时间“τO”还可以如此设置为受读/写操作的改变。因而，每个操作模式都可设置合适的放大时间。

主权项

1.半导体存储器的数据存取方法，该半导体存储器进行外部存取操作和刷新操作，外部存取操作用于相对于外部器件输入/输出数据，刷新操作对应于不相对于外部器件进行输入/输出操作的内部存取操作，该方法包括如下步骤：测量作为外部存取操作期间位线对的差分放大时间的第一时间；以及测量作为刷新操作期间位线对的差分放大时间的第二时间；其中，第二时间短于第一时间。