发明名称 同时制造各种尺寸的隔离结构的方法
摘要 本发明涉及一种同时制造各种尺寸的隔离结构的方法,浅沟渠隔离结构被同时制造以使单元区域中的一些具有第一型图案,而在周边区域中的一些具有第二型图案。第一型图案可有圆的边缘或可有第一深度与宽度,而第二型图案可有不圆的边缘或可有不同于第一深度与宽度的第二深度与宽度。此种方法包含于部分的单元区域以及周边区域的掩模层上形成图案化光刻胶,以及去除周边区域中暴露出的掩模层同时去除单元区域中暴露出的部分掩模层。然后在周边区域中部分形成沟渠以及去除单元区域中的掩模层,再加深周边区域中的沟渠以及在单元区域中形成沟渠。
申请公布号 CN1292468C 申请公布日期 2006.12.27
申请号 CN200410062629.5 申请日期 2004.06.30
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 余旭升
分类号 H01L21/76(2006.01) 主分类号 H01L21/76(2006.01)
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 胡晶;王学强
主权项 1.一种形成浅沟渠隔离结构的方法,其特征在于,包括:提供基底,其具有单元区域以及周边区域;在该基底上形成掩模层,以覆盖至少部分该单元区域以及至少部分该周边区域;在该掩模层上形成图案化光刻胶,该图案化光刻胶暴露出该单元区域中的部分该掩模层以及暴露出该周边区域中的部分该掩模层;施行第一蚀刻工艺过程,以去除该周边区域中被该图案化光刻胶暴露出的所有该掩模层以及去除该单元区域中被该图案化光刻胶暴露出的部分该掩模层;施行第二蚀刻工艺过程,以在该周边区域中部分形成沟渠以及去除该单元区域中的该掩模层;施行第三蚀刻工艺过程,以加深形成于该周边区域中的该沟渠以及在该单元区域中形成沟渠;以及以绝缘材料填满该周边区域中的该沟渠以及填满该单元区域中的该沟渠。
地址 台湾省新竹科学工业园区力行路16号