| 发明名称 | 异质结双极晶体管及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供加工性优良、且不增大导通电阻(Ron)的高性能的异质结双极晶体管及其制造方法。异质结双极晶体管，在由n型GaAs构成的辅助集电极层和由浓度比辅助集电极层低的n型GaAs构成的第2集电极层之间形成第1集电极层，该第1集电极层对于在第2集电极层的蚀刻工序中使用的蚀刻液具有耐性、且在与第2集电极层的接合处不妨碍电子的传导。 | ||
| 申请公布号 | CN1885555A | 申请公布日期 | 2006.12.27 |
| 申请号 | CN200610093821.X | 申请日期 | 2006.06.20 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 村山启一;田村彰良 |
| 分类号 | H01L29/737(2006.01);H01L21/331(2006.01) | 主分类号 | H01L29/737(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 胡建新 |
| 主权项 | 1.一种异质结双极晶体管，其特征在于：在由n型GaAs构成的辅助集电极层和由浓度比上述辅助集电极层低的n型GaAs构成的集电极层之间形成半导体层，该半导体层对于在上述集电极层的蚀刻工序中使用的蚀刻液具有耐性、且在与上述集电极层的接合处不妨碍电子的传导。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||