| 发明名称 | 基板处理装置、基板保持器、和半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的课题在于消除因构成基板保持器的支柱和基板承载部等影响造成的基板上的膜厚不均匀部分，提高基板的膜厚均匀性。在基板处理装置中，将由舟(基板保持器)保持的多片晶片(基板)收纳在处理室内，将处理气体提供给已被加热的处理室，对晶片进行成膜处理。舟具有：大致垂直设置的至少3个支柱(15)；分多层地被设置在支柱上并按照规定间隔大致水平地承载多片晶片的多个晶片支承部(基板承载部)(16)；被设置在支柱(15)上并相对于被支承在晶片支承部(16)上的晶片而言按照规定间隔大致水平地设置的多个环状板(13)。 | ||
| 申请公布号 | CN1886829A | 申请公布日期 | 2006.12.27 |
| 申请号 | CN200480034610.8 | 申请日期 | 2004.11.29 |
| 申请人 | 株式会社日立国际电气 | 发明人 | 山口天和;盛满和广 |
| 分类号 | H01L21/68(2006.01);H01L21/205(2006.01);C23C16/458(2006.01) | 主分类号 | H01L21/68(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 季向冈 |
| 主权项 | 1.一种基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置具有：可保持多个基板的基板保持器；收纳由上述基板保持器保持的基板的处理室；对该处理室进行加热的加热机构；向由上述加热机构进行加热的处理室提供处理气体以对上述基板进行处理的气体供给机构，上述基板保持器具有：大致垂直设置的至少3个支柱、多个基板承载部和多个环状板，所述多个基板承载部分多层地被分别设置在上述支柱上，按照规定的间隔大致水平地承载上述多个基板；所述多个环状板被分别设置在上述支柱上，并且相对于由上述基板承载部支承的基板而言以规定的间隔大致水平地设置。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||