| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供通过防止TFT截止动作时增大漏泄电流的现象，从而提供可靠性高的半导体装置及其制造方法。该半导体装置配有薄膜晶体管，该晶体管具有：含有沟道区、源区和漏区的半导体层；设置在半导体层上的栅极绝缘膜；以及控制沟道区的导电性的栅电极，半导体层的表面有微小的凸部，栅电极的侧面的倾斜角大于半导体层的凸部的倾斜角。 | ||
| 申请公布号 | CN1292489C | 申请公布日期 | 2006.12.27 |
| 申请号 | CN200310123024.8 | 申请日期 | 2003.12.23 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 牧田直树 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，配有薄膜晶体管，该晶体管具有：含有沟道区、源区和漏区的半导体层；设置在所述半导体层上的栅极绝缘膜；以及控制所述沟道区的导电性的栅电极；其中：所述半导体层的表面有凸部，所述栅电极的侧面相对于栅极绝缘膜的表面的倾斜角大于所述半导体层的所述凸部的倾斜角，该半导体层的凸部倾斜角是以半导体层剖面中半导体层的表面作为基准线，相对于凸部顶点的高度，在其一半高度的点引出连接线，按该连接线与基准线交叉的角度定义的值，所述栅电极的剖面具有近似梯形的形状，所述半导体层是结晶性的。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||