半导体元件及其制造方法、将半导体元件中具有源/汲区之基板上方的包含二矽化镍之薄膜转换成矽化镍膜的方法

摘要

本发明提供一种降低矽之中的应力以助于在矽上方形成矽化镍的方法。该方法包括：应力补偿之源／汲区离子布植制程、于非晶矽层上形成一矽化物的制程、应力补偿之深埋层制程、于矽化物形成其间进行的应力补偿之介电覆盖层制程、于矽化物形成其间进行的两次退火制程、以及将二矽化镍转换成矽化镍的制程。