快闪记忆体及其制造方法

摘要

一种快闪记忆体之制造方法，此方法先于基底上形成穿隧介电层、导体层与罩幕层，并图案化此罩幕层以形成暴露部分导体层之开口。接着，于暴露之部分导体层上形成氧化层，此氧化层将导体层分隔成块状。在移除氧化层后，于开口内形成闸间介电层，并形成填满开口之控制闸极。于控制闸极上形成顶盖层后，移除罩幕层。以此顶盖层为罩幕，移除部分导体层，而于控制闸极下方形成二浮置闸极。之后，于基底上形成绝缘层，并于控制闸极两侧之基底中形成源极区／汲极区。