基板处理方法及半导体装置之制造方法

摘要

本发明之一形态之基板处理方法，其系使用具有开闭机构之加热处理装置，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，在被处理基板之处理及处理之间，在关闭前述开闭机构之状态下，向前述加热处理装置内供给包含前述被处理基板之膜中所含的溶剂之气体。