发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明的目的系为提供一种可靠性高的BGA型半导体装置。本发明系具备有:形成在半导体基板1上的焊垫电极4;在覆盖前述焊垫电极4端缘部的同时,在前述焊垫电极4上具有第1开口部6之第1钝化膜5;经由前述第1开口部6形成在前述焊垫电极4上的镀覆层7;覆盖前述第1钝化膜5的端缘与前述镀覆层7之间的前述焊垫电极4的露出部8,且在覆盖前述镀覆层7端缘部的同时,在前述镀覆层7上具有第2开口部10的第2钝化膜9;及经由前述第2开口部10形成在前述镀覆层7上的导电端子11。
申请公布号 TW200644138 申请公布日期 2006.12.16
申请号 TW095119561 申请日期 2006.06.02
申请人 三洋电机股份有限公司 发明人 森田佑一;石部真三;野间崇;大塚久夫;高尾幸弘;金森宽
分类号 H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L21/60(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 日本