3-5族氮化物半导体积层基板、3-5族氮化物半导体自立基板之制造方法,及半导体元件

摘要

本发明系关于3–5族氮化物半导体积层基板1及其之制造方法。于底层基板11上形成半导体层12，于半导体层12上形成掩膜13。继而藉选择成长而形成3–5族氮化物半导体结晶层14后，分离3–5族氮化物半导体结晶层14与底层基板11。半导体层12之结晶性低于前述3–5族氮化物半导体结晶层14。