分离闸极快闪元件与其制造方法及形成记忆元件之方法

摘要

本发明系有关形成分离闸极快闪元件之方法，于半导体基板上依序形成介电层、导电层、遮罩层以及光阻层。之后将光阻层蚀刻出开口图案，并以此图案蚀刻遮罩层与导电层。蚀刻导电层后将使导电层与介电层交界之外表面区域具有底切，而蚀刻介电层将使导电层与介电层交界之外表面区域具有凹陷，最后蚀刻部份基板以形成沟槽。将隔离层填充于沟槽与遮罩层上，再移除遮罩层、部份导电层、与部份隔离层，并保留部份隔离层于凹陷上。