发出辐射之半导体晶片及此种半导体晶片用之半导体本体之制造方法

摘要

一种发出辐射的半导体晶片(1)，其包括：半导体本体(2)，其具有一种横向之主延伸方向、一主面(3)和一具备适合产生辐射之活性区(5)之半导体层序列(4)；以及一配置在主面上的电性终端元件(6)，其中该主面包含一注入区(7)和一隔离区(8)，此注入区导电性地与终端元件相连接，且半导体晶片操作时就隔离区和注入区而言电荷载体只经由注入区而注入至半导体本体中，该终端元件是与该注入区和该隔离区相重叠，或此终端元件在横向中配置在该注入区之旁。此半导体晶片在以脉波操作时可容易地达成一种短的调变时间。