深渠式超介面元件之硬遮罩结构

摘要

本案为一种硬遮罩结构，应用于制造一超介面元件之深渠，其中该超介面元件包括一基板以及形成于该基板上之一磊晶层。该硬遮罩结构包含：一离子阻隔层，形成于该磊晶层上，以用于阻隔离子扩散至该磊晶层内；以及一沈积氧化层，形成于该离子阻隔层上，且与该离子阻隔层形成该硬遮罩结构，俾使该磊晶层透过该硬遮罩结构进行一蚀刻制程，以得到该超介面元件之深渠。本案之硬遮罩结构可以有效地防止离子扩散至磊晶层内，以避免元件电性异常。