应变锗场效电晶体及其制造方法

摘要

一种应变锗场效电晶体及其制造方法，系于一基板上形成一锗层，接着于锗层上形成一矽膜保护层，再于矽膜保护层上形成一闸极绝缘层，最后有一闸极位于闸极绝缘层之上；以锗层作为应变锗场效电晶体之载子通道，而提升驱动电流及载子迁移率(mobility)，有效增加元件效能，且由于矽膜保护层在锗层上，改善了锗层与闸极绝缘层介面特性。