发明名称 双镶嵌结构、内连结构及其制造方法
摘要 本发明系关于一种内连结构及其制造方法,上述内连结构包括:一基底,其内设置有一导电构件;一复合低介电常数介电层,位于该基底上,其内设置有至少一应力调和层;以及一导电物,位于该复合个介电常数介电层内,通过该应力调和层并电性连结于该导电构件。本发明亦关于一种双镶嵌结构。
申请公布号 TW200644159 申请公布日期 2006.12.16
申请号 TW094142315 申请日期 2005.12.01
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 卢永诚;蔡明兴
分类号 H01L21/768(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号