制作包含超晶格及具有界定半导体接面之掺杂区域之邻接半导体层的半导体元件之方法

摘要

一种制作一半导体元件之方法，可包括形成一超晶格，其包含复数个堆叠的层群组。该超晶格的每一层群组各包括有界定一基底矽质部分之复数个堆叠基底矽单层，以及其上之一能带修改层。该能带修改层可包括有限定于相邻基底矽质部分的一晶体晶格内的至少一非半导体单层。该方法可更包括形成一半导体层邻接该超晶格并包括含一第一传导型态掺杂质之至少一第一区域。含有一第二传导型态掺杂质的至少一第二区域可被形成于该超晶格内，以与该至少一第一区域界定至少一半导体接面。