发明名称 设有矽控整流器构造之半导体装置用静电放电保护电路
摘要 一种ESD(静电放电)保护电路,具有:一第一P型半导体区,连接至一缓冲衬垫;一第一N型半导体区,与该第一P型半导体区耦合;一第二P型半导体区,与该第一N型半导体区耦合并连接至一接地端;一第二N型半导体区,与该第二P型半导体区耦合并连接至一接地端;以及一触发电路,用以在一突波施加至该缓冲衬垫时从该第一N型半导体区汲取触发电流。该触发电路系透过一电阻元件而连接至该第一N型半导体区。
申请公布号 TW200644212 申请公布日期 2006.12.16
申请号 TW095113928 申请日期 2006.04.19
申请人 NEC电子股份有限公司 发明人 森下泰之
分类号 H01L23/60(2006.01) 主分类号 H01L23/60(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本