CMP研磨剂,使用该CMP研磨剂之基板之研磨方法,及半导体装置之制造方法以及CMP研磨剂用添加剂CMP POLISHING AGENT, A METHOD FOR POLISHING A SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME, AND AN ADDITIVE FOR CMP POLISHING AGENT

摘要

本发明揭示一种CMP研磨剂，其特征系包括由氧化铈粒子，分散剂、含有可与存在于被研磨膜表面之羟基形成氢键之原子或构造之有机高分子以及水所组成者；一种基板研磨方法，其特征包括使形成有被研磨膜之基板与研磨转盘及研磨垫按接加压，并一面于被研磨膜与研磨垫之间供给上述CMP研磨剂，一面驱动基板与研磨转盘进行研磨，一种半导体装置之制造方法；其特征系包括具备有上述研磨方法之程序；以及CMP研磨剂用添加剂，其特征系包括由含有可以与存在于被研磨膜之表面的羟基形成氢键之原子或构造之有机高分子及水所组成。