| 发明名称 |
半导体微影制程用共聚合体及其制造方法 |
| 摘要 |
提供一种光阻用聚合物及其制造方法，以得到粗糙小、显影缺陷少且DOF等微影制程特性优异之使用于半导体制造的光阻用聚合物。本发明半导体微影制程用共聚合体系为包括具在至少酸作用下硷可溶性增大之羧酸酯结构的反覆单位(A)以及具羧基的反覆单位(B)的共聚合体，该共聚合体系经由对用以提供至少一反覆单位(A)的单体进行共聚合的制程(P)；以及在具反覆单位(A)之(共)聚合体及／或用以提供反覆单位(A)的单体与酸共存之情形下生成反覆单位(B)的制程(Q)而制得。 |
| 申请公布号 |
TW200643634 |
申请公布日期 |
2006.12.16 |
| 申请号 |
TW095115599 |
申请日期 |
2006.05.02 |
| 申请人 |
丸善石油化学股份有限公司 |
发明人 |
山岸孝则;及川知;室井雅昭;厚地浩太;中村孝弘;山田雅和;最所贤介;竹下优 |
| 分类号 |
G03F7/039(2006.01);C08F18/02(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/039(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
